應 用：半導體集成電路及器件的擴散、氧化、合金、退火等工藝 

工 藝：擴散（硼擴散、磷擴散等），氧化（干氧氧化、濕氧氧化-去離子水氧化、氫氧合成氧化等），退火，合金等等 

結(jié) 構(gòu)：水平結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu) 

晶圓規(guī)格：4"、5"、6"、8";

太陽能電池為125×125、156×156 

工藝管數(shù)：水平結(jié)構(gòu)為1-4管，垂直結(jié)構(gòu)為1管 

產(chǎn)品類型：生產(chǎn)型，科研型（R&D-小型） 

產(chǎn)品等級：普通級（一般性的科研與生產(chǎn)） 

標準級（國際通行技術標準及質(zhì)量等級，如IC制造等） 

系統(tǒng)組成：主機（FURNACE）、氣源柜（GAS/SOURCE CABINET）、 工作臺（LOADSTATION-自動送片/凈化）、計算機控制系統(tǒng) 

設備可配套提供典型的工藝及配套解決方案

擴散/氧化爐系統(tǒng)的主要技術指標

爐管配置：1-4管/臺

晶圓規(guī)格：4"、5"、6"、8"

爐體控制段：3/5段

恒溫區(qū)長：760（800）mm / 1000mm

反應室配置：石英管/碳化硅管

加熱體材料：KANTHAL APM/A-1 或相當

溫度均勻性：800-1300℃ /±0.5℃

300-900℃ /±1℃

工藝溫度范圍：300-1300℃

可控升溫速度：15-20℃/min

降溫速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min

控制系統(tǒng)：工業(yè)計算機(10"-15"液晶屏)

送片系統(tǒng)：SiC懸臂/雙石英桿

凈化等級：100級或更好

凈化風流：水平或垂直

送片速度：100mm-500mm/min

定位精度：2mm

氣源氣路：EP級316L管道1/4"或3/8"

閥門組件：SWAGELOK或相當

管道焊接：自動軌道焊接

工藝保證：提供典型的工藝